Главная Журналы в источниках (вторичного электропитания для преобразования температуры в напряжение широко используется эффект Зеебека. В простейшем случае используется объемная составляющая тер-моэдс полупроводниковых образцов, которая обусловлена генерацией и диффузионным переносом свободных носителей заряда от нагретого конца образца Гг к холодному (рис. 6.6.2). Например, для кремния л-типа с Лд=10 см- удельная объемная тер-моэдс avT = f/v/5r=l мВ/°С. Резистор / " (источник тепло} . Мромниедый термозлемеит - В> + Рис. 6.6.2. Источникиконтактной (а), объемной (б) термо-ЭДС и упрощенная конструкции термобатареи: / 2 - проводниковые или полупроводниковые материалы с различными электрофизическими свойствами Для получения приемлемых для практики напряжений С/ип~ ~1...3 В термоэлементы соединяют последовательно (рис. 6.6.2,6). / Фильтраци5 переменной составляющей мощности источника тепла осуществляется соответствующим выбором тепловой постоянной времен1 Тт. Список литературы 1. Ефимов и. е., Горбунов Ю. М., Козырь И. Я. Микроэлектроника Физические и техяологические основы, надежность: Учеб. пособие для вузов.- м.: Выапая школа, 1977. - 416 с. 2. Ефимов И. е., Горбунов Ю. М., Козырь И. Я. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, новые направления: Учеб. пособие для вузов - м.: Высшая школа, 1978 г.- 312 с. 3. Фомин А. В., Борисов В. Ф., Чермошенский В. В. Допуски в радниоэлект-ронной аппаратуре. - м.: Сов. радио, 1973 г.- 128 с. - (Б-ка раднокои-структора). 4. Гимпельсон В. Д., Радионов Ю. А. Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники.-М.: Машиностроение 1976 328 с. v , 5. Роткоп Л. Л., Спокойный Ю. Е. Обеспечение тепловых режимов при конструировании радиоэлектронной аппаратуры. - М.: Сов. радио, 1976.- 232 с. 6. Физические основы надежности интегральных схем/В. Ф. Сыноров, Р. П. Пн-ьоварова, Б. К. Петров и др. Под ред. Ю. Г. Миллера.- М.: Сов. радио, 1976.-320 с. км.. 7. Селютин В. А. Машинное конструирование электронных устройств - М.: Сов. радио, 1977. -384 с 8. Валнез К. А., Орликовский А. А. Полупроводниковые интегральные схемы памяти на биполярных транзисторных структурах. - М.: Сов. радио, 1979. - 296 с. 9. Валиев К. Д., Кармазинский А. Н., Королев М. А. Цифровые интегральные схемы на МДП-транзисторах.-М.: Сов. радио, 1971.-384 с. 10. Кремниевые планарные транзи-сторы/В. Г. Колесников. В. И. Ниикнщнн, В. И. Сыноров и др. Под ред. Я. А. Федотова. М.: Сов. радио, 1973.- 336 с. И. Ермолаев Ю. П., Пономарев М. Ф., Крюков Ю. Г. Конструкции и технология микросхем: Учебник для вузов/Под ред. Ю. П. Ермолаева - М • Сов радио, 1980. -256 с. " Оглавление Стр. Предисловие...........•...... . з Введение ................... 5 Глава 1. Элементы и компоненты гибридных интегральных микросхем . § 1,1. Резисторы . ,............... 1! § 1,2. Конденсаторы ............... SS § 1.3. ЛС-структуры с распределенными параметрами........ 45 § 1.4. Пленочные катушки индуктивности........... 50 § 1.5. Конструкции и свойства бескорпусных полупроводниковых приборов ... 51 Глава 2. Конструкции гибридных интегральных микросхем и микросборок 56 § 2.1. Функциональный н интегрально-групповой принципы компоновки микросхем с различной степенью интеграции ........... 56 § 2.2. Подложки................. 57 § 2.3. Пленочный монтаж............... 59 § 2.4. Корпуса................. 67 § 2.5. Типовые конструкции ГИС и МСБ........... 72 § 2.6. Критерии оценки качества конструкции ИС-......... 7t Глава 3. Основы конструирования гибридных и больших гибридных интегральных микросхем . ........ 78 § 3.1. Обеспечение функциональной точности ГИС......... 78 I 3.2. Тепловые режимы гибридных ИС............ 86 I 3,3. Паразитные связи и помехи в ИС.....-...... 97 § 3.4, Обеспечение механической прочности конструкции ИС...... 108 § 3.5. Надежность гибридных ИС.............. 109 § 3,6. Оценка технико-экономических показателей гибридных ИС..... 11,-; с Методика разработки конструкции ИС Конструкторская документация . ,. И! j- Глава 4. Активные и пассивные элементы полупроводниковых ИС . I27j § 4,1. Методы изоляции элементов ИС............ 127 j . § 4.2. Физические процессы в диодах и биполярных транзисторах..... 1311. § 4.3. Конструкции диодов полупроводниковых ИС . . ~....... 158 § 4.4. Конструкции биполярных транзисторов ИС......... 166, § 4.5. Физические процессы в МДП-транзисторах......... 17Т. § 4.6, Вольт-амперные характеристики и статические параметры МДП-транзисторов IS; § 4.7. Основные конструктивно-технологические разновидности МОП-транзисторов 18Е! § 4.8. Резисторы.................. 19.!? § 4.9. Конденсаторы................ 202 § 4,10. Коммутация элементов микросхем. Конструкции выводов ..... 207 Глава 5. Основы конструирования полупроводниковых ИС и БИС . 214 § 5.1. Большие интегральные схемы............ 214 § 5.2. Логические элементы ИС и БИС........... 219 § 5.3. Микросхемы с функционально-интегрированными элементами . . . . 226 § 5.4. Полупроводниковые БИС памяти........... 234; § 5.5. Паразитные эффекты в конструкциях полупроводниковых ИС .... 24 д § 5.6. Корпуса. Тепловой режим............. 24 § 5.7. Разработка конструкций полупроводниковых интегральных микросхем . . 25:р . Глава 6. Функциональные микроэлектрониые элементы и устройства 26( § 6.1. Общие зЕмечания............... 26f § 6.2. Устройства на основе цилиндрических магнитных доменов..... 26 § 6.3. Приборы с зарядовой связью . ........... 274 § 6.4. Акустоэлектронные устройства............. Z7f § 6.5. Оптоэлектронные устройства............. 281 § 6.6. Электротепловые функциональные элементы......... 28; Список литературы................ 28 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 [ 47 ] |