Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 [ 88 ] 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217



с / k 6 S IS n If 1S

0,3 0,3

1

f КБ 30 75 On

(5 i.nA

1 ""

"--

10 30 ItO li,MA

2(>Я



КТ370Л, КТ370Б

Пбщие средгния, KpeMiitieBue :1Г[Игчкс1[алъно-плаарные р~п-р трашисто-рч предиазнаены для работы в имп>.1ЬСкЫх и других нepeмotlтиpyeмыч гибридных свечах, мчкромодулях, узлах я блоках.

Оформление бескорпусное {рис. П1.44), Масса транзистора не более 0,005 г.

Условия Э11сплуатйции ~ в соответствии с табл. П2.3.

Электрические параметры- Классификационные параметры;

213 ""aisl тк-

Маимен ванне

Обозначение

1ини-м,1 тьное

1.1мси-jajibHoe

Р"ЖИМ J изм ) < ьия

С

к

Обратный ток

коллектора,

при Гс = = +85° С

Обратный ток эмиттера, мкА

при Тс== = +85° С

0,001 0,02

0.002 0.1

»,о.

0,15 0,7

0,5 10

0,5 10

Напряжение насыщения коллектор - эмнттер, В

2 f),23 0.35

10 1

Ыапргпкенпе насыщения база-

SVllTTCp, В

0,00 0,93

AUjAyjib коэффициента передачи тока на высокой ысто-те;

КТ370А КТ370Б

•sial

Сттический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (и=2 мс): КТ370А КТ370В при = = -f85°C

10 12

20 40

70 120

при 25° С

6: 10



Знэ1.е11КЯ

Оюзиа-чек не

мини-

г: S

максимальное

<

<

<

при Гс =

= -40С: КТ370 \

КТ370Б

при 25° С

0,Щгз при 25" С

75 130

Бремя рассасывания, ВС

Емкость эмиттерного перехода, пФ

Емкость коллекторного перехода, пФ

Постоянная времени цегш обратной связи на высокой частоте, пс-

КТ370А

КТ370Б

50 75

30 30

Максимально допу-стнчые параметры ружагаше.п среды Гс = -40..,-1-85С.

ктах - nocroHHHjiH ток кол- \ лектора, мА......

/к, в так - импульсный ТОК КОЛ лектора (я=1 мкс, Q2Q)

мЛ....., . . .

ЭБ max-постоянное напряже нне эмигтер - база, А ,

Ч Гарантируются при температуре ок-

Ктах постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт........И

Рк, к max - импульсная рассеи-ваемая мощность транзистора {ta\ мкс, Q>20),

мВт ..... 2Ркгапх

Тп mas - температура перехода, "С..........125

т, п-с - тепловое сопротивление перевод - окружающая среда, ° С/мВт.......5

Допустимая температура окружающей среды. °С . -40...+85

" В диапазоне температур-40.:.+50°С При температуре 85=С 1 = "О "А, -"кшах"" Вт. В диапазоне температур 50...85 С этн вешчнны уменьшаются линейно.

КБ ггах "оетоянное напряже нне коллектор - база, В . КЭ так - постоянное на!)рял{е кие коллектор - эмиттер, В при < 10 кОм . . . , при 5 1 кОм КС370Л

30 4 15

10 15

КТ370Б........12

В составе микросхемы,





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 [ 88 ] 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217