Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 [ 72 ] 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

г 4 в 8 w uj,B

M3m-lf. = 50mA

Jll ipu j

1,0 0,8

30 tfO U,HA

KT324A, КТ324Б, KT324B, КТ324Г, КТ324Д. KT324E

Общие сведения. Кремниевые планарноопитаксиальные n-р-п-транзисторы предназначены для использоаания в быстродействующие переключающи.х чикросхемз%, чикрочодулях, учлах в блоках.

Бескорп>сное оформление (рис. П1Л8). Масса транзистора не более 0,002 г.

Услония .гсплуатании - а соответствии с табл. П2,3

Электрические параметры. Классификационные параметры:

					Режим.		кзме,)ени»
	Обозна чение						<	<
ООрашый ГОК коллектора, мкА при Го = 4-85° с	;бо		0,5 10
Обратный fOK эмиттера, мкА
Граничное напряжение ранзи стора (/.SO мкс, О50), В		1

Наименование	Обввв»- чевие	Знaчeiи			Режимы		измерения
		•и о	т ч та Ф
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер. В	КЭ нас
Напряжение насыщения база- эмипер, В	БЭ на.
Модуль коэффициента переда-
чи тока на высокой частоте:	1 /iaiB 1
КТ324А-КТ324В		&
КТ324Г-КТ324Е
Статический коэффициент пе-
редачи тока в слеме с ОЭ)
КТ324А
КТ324Б, КТ324Г
КТ324В
КТ324Д
КТ324Е
при 7с = -)-85*С: КТ324А
КТ324Б, КТ324Г
КТ324В
КТ324Д
КТ324Е
при Го--60° С:
КТ324А, КТ324Д
КТ324Б, КТ324Г
КТ324В
КТ324Е
Вргмя рассасывании, нс1
КТ324А-КТ324В
КТ324Г
Емкость эмигтерного перехода.
Емкость коллекторного перехода пФ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой часто le, ПС КТ324Д, КТ324Е

Максимально допустимые параметры, жающей среды Тс™-60...+85С

Кта- /эта,* -ВДСТОЯПНЫЙ ТОК

коллектора и эмиттера, мА . 20

К.игпах Э, и max-импульсный

ток коллектора и эмиттера {,<10 мкс, QIO), мА

ЭБ пах -постоянное напря жение эмиттер - база, В

КБ max - постоянное напря жение коллектор - база, В

50 4 10

Гарантируются при температуре окру-

KSRmai; - постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Rb <3 кОм), В . . . , iG

ктах ~ постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт:

при 7с=-60...-f50°C ... 15 прн 7"с=85С......5

Та mai - Температура перехода, "С .........+100

Допустимая температура окружающей среды, ° С . Г-60...+85

) прн повышении температуры окружающей среды от 55 до 85С допустимая мощность уменьшается линейно.

т 0, ¥ hs

2t3\

о, 7

0,6 0.5

и=5нА
									loom

0 г h в 8 w n Ш Uj,8

15 20

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 [ 72 ] 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217