Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 [ 47 ] 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

КТ348А. КТ348Б, КТ348В

Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п транзисторы Предназначены для использования в устройствах дискретного счета с общей герметизацией и микроклиматом

Оформление бескорпусное (рис. П1.14). Масса трашистора не более 0,01 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.

Электрические параметры. Классификационный параметр: ftgig-

Наименозанве	Обозвз чение	3на цени ь		Режимы измерения
			1 Cp			<	< s	< A	a c
Обратный ток котлекто-ра, мкА - при Гс=+73С		0,01 0,02
Обратгшй TOi эмиттера, мкА
Обратный ток коллектор - эмипер (/?Б 3 кОм), мкА
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, Б КТ348А КТ348Б КТ3488	КЭ нас		0,3 0,3 0,3			10 10 10	1,0 0,7
Напряжение насыщения база - эмнттер, Вз KT34SA КТ348Б КТ348Б	БЭвас		0.85 0,85 0,85			10 Ш 10	0,6 0,4
Прямое напряжение эмнттер - база, В								0,05
Прямой ток базы (/?Б." <600 Ом), мкА
Модуль коэффициента передачи тока на высокой часготе	1 313 f
Статический коэффициент передачи тока в схе-ме с ОЭ KT34SA

Наименование

Обозначение

КТ348Б КТ348В при Гс = +70°С: КТ348А КТ348Б КТ348В

при 7с=-60°Ci КТ348А КТ348Б КТ348В

Значения

Режимы измерения

25 35 80

9 15 25

120 250

со 75 120

Время

рассасывания.

=3 В

/б1 =

Емкость эмиттерного перехода, пФ

5...10

Емкость коллекторного перехода, пФ

5... Ш

Максимально допустимые параметры, жающей среды 7с=-6О...+70°С.

и mas - ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛЛек-

тора, мА , . ......\

/к, и max - импульсный ТОК кОЛ-

лектора (falO мкс,

10, вайЮО НС), мА . . 45

ЭБ max ~ постоянное напряжение эмиттер - база, В . .3,5

КБ шах -постоянное напряжение коллектор - база, В . 5

Е/цэдшах -постоянное напря-

женне ко.тлектор - эмиттер (Rb 3 кОм), В.....5

к max - постоянная рассеи-ваемая мощность коллектора (Гс=-60...+40С), мВт . 15

Гарантируются при температуре окру-

Ял твт - импульсная рзгсеи-ваемая мощность транзистора ((иЮ мкс, 010, /□врЮО пс), мВт ... . 100

Т„ шах - температура перехода, "С..........00

/?т, п-с - тепловое сопротивление переход - окружающая среда, ° С/мВт.......4

Допустимая температура окружающей среды, "С , .-€Ю„.-Ь70

При увеличения температуры окружающей среды выше 40" С к тазе "1 = (Тптах - Т)/Rt, а-с-

0,008

		3=3 1 53

01 OA <J(,3,S

T.D 1,0 i/,0 Vn,

		гг -
	>						""Л

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 [ 47 ] 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217