Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 [ 42 ] 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

КТ331А, КТ331Б, КТЗЗШ, KTSStr

Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарззые п-р-п-транзисторы предназначены для работы в усилительных интегрально-гибридных чнкросхе-iiax в блоках аппаратуры, обеспечивающих герметизацию

Оформление бескорпусное (рис. П? 25). Масса транзистора не более 0,003 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2 3.

Электрические параметры. Классификационные параметры)

21Э-

Наиыенование

Обозна-чевпе

Звачения .

Режимы измерения

к гд

я а: и л

Ed га S

Обратный ток коллектора, мкА при Гс = + 125°С при Гс-бОС

0,001 0,1

0,005 1

15 15 15

Обратный ток эмиттера, мкА

j 1 0,5 1 1 3

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте:

KT33U, КТЗЗШ, КГ331В KT33tr

2,5 4.0

3,5 5,5

100 100

Статический коэффициент передачи тока в схеМе с ОЭ (/«=2 мс): КТ331А

КТ331Б, ГТ331Г КТЗЗШ

при Гс = 4-t2,5°Ci КТ331А

КТ331Б, KT33tr КТЗЗШ

HDH 7-с=-eccj

КТ331А

КТЗЗШ. КТЗЗ]Г

КТЗЗШ

, 21Э

20 40

20 40 80

10 16 32

0 60

55 80 130

20 40 75

60 120 220

!20 240 440

60 120 220

5 5 5

5 5 5

5 5 5

1 1 1

1 1 )

i 1 1

5-10-ь 5-tO-fi 5.10

5-10-2 5-10-? 5.10-*

5-10- 5-10-5 5. to-"

Коэффициент шума, дБ

Емкость Эмиттерного перехода, пФ

Ёмкость коллекторного перехода, пФ

Постоянная времени цепи об-ратиой свячи на высокой частоте, пг

Прямое напряжение

эмиттер - база, В

0,55

0,75



Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Го=-60...+ 125°С

/к шк! - постоянный ток лектора, мА

Бтах -постоянный ток 6а

tbi, мА . . ,.....

Ы.штлх - импульсный ТОК кол лектора, ((иЮ мкс, 10), мА......

эв max - постоянное напря женне эмиттер - база, В

КБтах -постоянное напря жение коллектор - база, В

20 б

3 15

КЭйтях -постоянное напряжение кoллeкfop - эмиттер (й 10 кОм), В .... 15

Pjmas. - постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Гс-60...-Ь75С}, мВт . 15

Тп mai - температура перехода,

"С .........4-135

п-о - тепловое сопротивление переход - среда, "С/мВт , . 4

Допустимая температура окружающей среды; "С . -60...-t-125

При Гс=. - 60. .+75° С. В диапазоне температур 75" С... 125° С Кшах иВт]=(135-Гс)/йх.п-с

КТ332А, КТ332Б, КТ332В, КТ332Г,

КТ332Д

Обшие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п-транзисто-ры пред 1;азкачены для работы в усилительных интегрально-гибридных микросхемах а блоках аппаратуры, обеспечивающей герметизацию.

Оформление бескорпусное с гибкими выводами {рис. П1.25). Масса траа-знстора не более 0,003 г

Условия эксплуатации - в соответствии с табл П2.3.

Электрические параметры К тассификанионные параметры: ftgtS Ifaial-I

3ad4eHii,i

Режимы измеревця

Нанменовэнш

Обозначение

а а а

я ж и л

а: <-

4 td

< я

Обратный ток коллектора, мкА при Гв-4-125С при Гв=-бСС

0,001 0,1

0,005 1

0,2 10 0,2

15 15 15

Обратный ток эмиттера, мкА

Модуль коэффициента передачи тока на высокой часто:

КТ332А, КТ332Б, КТ332В

КТ332Г, КГ332Д

! 218 1

2,5 5,0

3,2 5,3



Значения

Режимы измерения

Нанменовани*

Обозначение

«а

о =:

•fi :э

<

is S

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (н = 20 MKc}i КТ332А

КТ322Б, КТ332Г КТ332В, КТ332Д

20 40 80

90 130

120 220

5 5 5

1 1 1

5.10-а 5.10-а 5-10-а

Коэффициент шума, дБ

Емкость эмиттерного перехода, пФ

Емкость коллекторного перехода, пФ

С«

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс

Прямое напряжение эмиттер-база, В

0,55

0,75

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Го = -60...-1-125" С.

/к max - постоянный ТОК КОЛЛбК-

тора, мА........

б1;шх - постоянный ТОК бЗЗЫ,

мА- ..... .....

/к. amps - импульсный ТОК коллектора {(иЮ мкс, 0 10), мА.......

-эв шах - постоянное напряжение эмиттер - база, В . .

-кБ max ~ постоянное напряжение коллектор - база, В .

20 5

50 3 15

кэдтах -постоянное напряжение коллектор - эмиттер (/?„ :!0 кОм). В . . . . 15

max "~ постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт........15

Го max - температура перехода, "С..........135

/?т.п-о - тепловое сопротивленне переход - окружагащая среда, ° С/мВт.......4

Допустимая температура окружающей среды, "С .-60...+ 125

" При Гс = - 60.,,--75С. 8 диапазоне температур 75бЛб" Q „,UiBt]== (135- Гс)/Ях.п-о. Рнсункн см, на с. 133





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 [ 42 ] 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217