|
| |
|
Главная Журналы при 9!.сплуаи1!,ии дояжп1Л быль прнядты меры, предотвращающие неконтролируемое превышение предельно допустимых электрических режимов при переходных процессах с емкостными и индуктивными элементами. При заливке транзисторов в аппаратуре различными защитными компаундами должна быть обеспечена температура, не превышающая допустимую. При настройке схем на транзисторах рекомендуется придерживаться следую-ших правил, ограинчиваюиит выход их us строя из-за случайн ых перегрузок: - исключить возможность подачи на электроды транзисторов напряжений с обратной полярностью, что может приводить к пробою р - п-перехода; - монтаж схемы, замена транзисторов и других элементов должны производиться при отключенных источниках питания; - настройку схем и проверку реяшмов работы следует производить ламповым Вольтметром или другими приборами состаточно высоким входным сопро-ти влен нем, - при наладке схем на транзисторах с использованием измерительных приборов и источников питания, включаемых в сеть переменного тока, общий п ро-вод схемы и корпуса измерительных приборов должны иметь надежный контакт; - не допускается производить измерение сопротивления резисторов, не отключив их от схемы. В аппаратуре, подэергаемой воздействию внешних мехаесическях и клилга-тических факторов, следует принять мерьр по исключению возможности появления резких перепадов температуры, поскольку это может привести к механическим перенапряжениям,элементов конструкции. При повышенной влажности и температуре (условия близки к тропическому климату) необходимо принять меры по защите поверхности приборов от коррозии (покрытие лаком и различными компаундами). При значительном понижении давления окружающей ереды ухудшаются условия теплоотдачи. Поэтому необходимо в этих случаях принять меры по сиижепиро рассеиваемой мошности транзистора а улучшению теплоотвода . При размещении электронной аппаратуры Fia различных транспортных средствах LЛeдye использовать амортизаторы, исключающие возникновение резонансных колбаннй элементов конструкции транзисторов и отдельных блоков при воздейсттим ударные и вибрацнон])ых нагрузок. иметь II СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 2.1. ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОЙ МОЩНОСТИ Диапазон низних частот 1Э 2(1 21 21 21 МП20А, МП20Б, МП20В, МП20Г, МП20Д. МП21В. МП21Г, ЛШ21Д, ЛШ21Е Обшие сведения. Германиевые сплавные р-п-р-транзисторы предназначены д IA работы в усилятельныл и гтереключающих схемак. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.1, а), Масса транзистора не более 2 г. Условия эксплуатации - в соогветстнни с табл. П2.1. Электрические параметры. Классификационные параметры) К.эо
Обра1ный ток коллектора, мкЛ: МП2ОЛ-МП20Д- МП21В МП2!Г МП21Д МП21Е- кб о {) 5 3,5 10 10 10 10 10 50 50 50 50 SO 30 ад 60 50 70 Обратный гок эмиттера, мкА- МП20,\~МП20Д МП21В-МП21Е О -> 50 0 30 40 Граничное напряжение, Б: МП20Л-МП20Д МП21В, МП21Д МП21Г, МП21В 100 100
1 Для транзисторов, которым присвоен государственный Зиак качестве. /{JB0 *" "А, 0 1 2 3 [ 4 ] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||