Главная Журналы Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Гв-60..+7(ГС KF таи /к max - постоянный ТОК Коллектора, мА.....150 к! в даах ~ импульсный ток коллектора U»<5 мкс, 0 2), мА..... 300 БЭп:а> -постоянное ВЗПрЯ жение база - эмигтер, В . 3 - постоянное напряжение коллектор база (/э =0). В .... 20 Кэк irax - постоянное напря жение коллектор - амиггер {Rb -0), В 15 л шах -постоянное напряжение коллектор - эмиттер (J?B 1 кОм), В» ГТ320А........12 ГТ320Б ........11 ГТ320В ....... Ь кч -напряжение между коллектором я эмиттером запертого транзистора, В . 20 - импульсное напря» жение коллектор - эмиттер (1 мкс, Q>10). В , . 25 - постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт .........200 К rmx в max ~ импульсная рассеиваемая мощность гранзисто-ра (/и5 мкс, Q>5, Ук.а& о гр). Вт..... Допустимая температура окружающей среды, °С . 60..,-f70 ) При повышении те\пера туры V.T 45 до 70С предельные значения параметров снижаются на каждые 5*С, а именно! КЗ R тах-" 0,4 В, УкЭКтах-наО.бВ.Уэ. -на1,0В, -60 -fO -20 О 10 +4fl *В0 ГсС на 0,2 В. / КБтах -1,6 В, УдВ шан- К так -на 10 мА, ft.O 9,0 S,0 1-6,0 5,0 h ,0 3,9 -2,0
к итак -на 20мА, на 0,06 Вт. ) При Го=45...70°С мощность определяется по формуле Як ,1мВт]=(90-Гс)/б,225 При пониженном давлении 2,7х X 10 Па значение умень- шается на 30%. 30 Ц,МА
и 0J 0,1 0,3 0,ii 0,5 0,6 0,1 Q,8 U,8
I S Щ Ькэ, тгоА-й\ъ-о.зпА,тоъ-И1,-%1пА ff3208-dIs = D,}5MA ht3 250 150 50 0,3 0,6 0,tf B,2 0 0 5ff /5Р Jflff «Л w гоо i m им ГТ321А, ГТ321Б. ГТ321В. ГТЭ21Г, ГТ321Д. ГТ321Е iii(iiiipjnimi[iii)ii[iiiii}iiii 19 20 2 22 Общие сведения. Германиевые конверсионные р-п-;>-транзисторы предназначены для работы в высокочасготных и ныпульсвых радиотехнических схемах. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рнс, П1.191. Масса транзистора не более 2,2 г. Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2, г>лек1рические параметры. Классификационные параметры: /i2i3- KBmas* HaiMCHOJiatiiia USoaaa-чение л1И1)ичальаое Ррл-кНыы [измерения Обратный ток коллектора, мА: ГТ321А-ГТ321В ГТ321Г-ГТ321Е ирй Гв«+60°С 0,01 0,02 а,03 30 60 45 Обратный fOK коллектор - амиттер (Я < Ом). мА; 1Т321А~ГТ321В ГТ321Г-ГТ321Е 50 40 Граничное напряжение транзистора. В; 11321А~-ГТ321В ГТ32И-rr,32ifc; при ТбОХ ГТ321А-ГТ321В ГТ321Г-ГТ32Ш КЭО гр 35 25 700 700 Напряжение насыщения коллектор - ЭМИ пер, В. ГТ321Л, ГТ321Г ГТ321Б, ГГ321Д ГТ321В, ГТ321Е 2,5 2,5 2.5 /00 700 700 140 70 Напряжение нзсыи1ення база - эмипер, В: ГТ321А, ГТ321Г ГТ32)Б, 1Т321Д 1Т321В, ГТ321Е 1,05 I 05 1 0.1 1.3 1,3 1.3 700 700 Прямое напряженце между эмиттером я базой, В: ГТ321А-ГТ321В БЭ пр 0,5 0.5 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 [ 39 ] 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 |