Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 [ 24 ] 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г. КТ209Д, КТ209Е. КТ209Ж. КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М

Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р~п-р-транзисто-ры предназначены для применения в импульсных, усилительных и других схемах.

Корпус пластмассовый (рнс П1.16). Масса транзистора не более 0,2 г. Оформление бескорпусное (рис. П1.14). Масса 10 мг.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл.П2.3.

Электрические параметры. Классификационные "параметры:

К-R max

3Hj4eKHH

еня

Наименование

Обозна-чеаие

<и о I аз

С» Я

£ S

со к

Обратный ГОК эмиттера, мкА

Напряжение насыщения коллектор- эмиттер, В

КЭ аас

Напряж.ение насыщения база-эмиттер, В

ЭБ нас

1 ,5

Входное сопротивление в режиме большого сигнала в схеме с ОЭ, Ом

2500

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ:

КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л

КГ209Б. КТ209Д. КТ209И, КТ209М

КТ209В; КТ209Е,

КТ20ОК

20 40 SO

45 ВО 130

60 120

240 160

"1 I 1

30 30 30 30

при 7с = + 100=С: КТ209А, Г. Ж, Л КТ209Б, Д, И, М КТ209В, Е КТ209К

40 80 80

120 240 480

Выходная пpoвoдм"ocть и режиме малого сигнала при х.х., См

Отношение 215 mai l2l-mm

4..-.

Емкость коллекторного tIepe:v0дa. пФ {при f=500 кГц)



lehne

в i ч

о 3 S

<;

<; а

Емкость эми1тер!ого перехода, пФ (при ==0.5 В и f=500 чГи)

Граничная частота коэффиииента передача тока в схеме с ОЭ, л\Гц

Коэффициент Шума кОч), дБ;

КТ209В КТ209Е, КГ209К ари Ы1 кГц

П римеяаяие. Больт-ампернне харакгериотакв а зависамогтЕг иовных параметров си. алй фйяги-торое типа КТгОЧ

Максимально допустимые параметры.

жаюшей среды Гг=-45..,-Ь 100° С.

к [ид! - постоянный точ коллектора, мА . ... 300

б man -постоянный ток ба-

8ы, мА ........100

к и max - ймпульснын ток коллектора, мА...... 500

Гарантируются при температуре окру-

постоянное напряжение эмиттер - база, Bj КТ209А-КТ209Е . . . , КТ209Ж~КТ209М , , . ,

постоянное напряжение кол.!ектор - база. В:

КТ209А-КТ209Б . . . ,

КТ209Г--КТ209Е . . . .

КТ209Ж-КТ209К . . . .

КТ209Л, КТ209М . . . .

30 45 60

Кс R max

постоянное

жение коллектор -<10 кОм), В!

КТ209А-КТ209В КТ209Г-КТ209Е КТ209Ж-КТ209К КТ209Л, К Г209ДА

напря-эмиттер

15 30 45 60

i\m.x -постоянная рассеиваемая мощность коллектора {7-0»=-45...--35°С), мВт . 200

Тп mai- гемперагура перехода, С ... . .....125

Rt. а-0 - тепловое сопротивление переход - окружающая среда, ° С/мВт 0,45

Допустимая температура окружающей среды, "С , • , -45...

0,7 В при [00 мА.

Гарантируются значения КЭвад

В диапазоие температур 4-25.... + 100" С. При понижении температуры ГсОт +25е до -45G и fKs иах >"*"* °

для групп А-В; до 25 В - для групп Г-Д, Е; до 10 В - для групп Ж, И К; до 55 Б - для групп Л. М,; U уменьшается линейно до 15 В в диапазо-,18 температур 24.i.- 45" С



КТ210А, КХ210Б, mi OB

Общие сведения. Кремниевые эпитакснальна-планарные п-р-транзистр-ры предназначены для применения в импульсных и других гибрндных аемах с обшей герметизацией.

Оформление бескорпусное с<? столбиковыми выводами (рис. IJl.H), м-асса

транзйс-гора не более Ю мг.

Условия эксплуатациив соответствии с табл. 112.3.

Электрические параметры. Классификационные пзрайетры;

Начмснонаике

Обо на-чение

Режимы измерения

а gc 3 z

1 (-

а: щ

<s es

< iB

< m

Обратный ТОК эмиттера (Гс-=-60...+85*С), мкА

Обратеый ток коллектор - эмиттер {Та*-60...+85°С. i?B =

= 10 кОм), мкА

K3R шах

Наггряжениб насышения коллектор - эмиттер, В

0,15

Напряжение насыщения база - эмиттер, Б

0,75

Статический коэффициент Передачи тока в схе ме с ОЭ.

КТ210А, КТ210Б

КТ210В

11ри 7"c=-I-85Cj КТЗЮА, КТ210Б KT2J0B

при Гс = ~йО°С) КТ210А. КТ210Б КТ2[0В

80 40

40 25

160 100

240 120

Время рассасывания, мкс

Емкость эмиттерного перехода при /=-5 МГц, пФ

Емкость коллекторного перехода при /=-3 МГц, пФ

с«

Граничная частот» коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 [ 24 ] 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217