|
| |
|
Главная Журналы
JO 55 20 25 W U„,i
U.mA KT206A, КТ206Б Овщне свйдейня. Кремниевые зпитаксиально-плаиарные п-«-тракзиссо-ры предназначены для работы в схемах усиления и генерирования сигналов в диапазоне до 10 МГц, в импульсных неремонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках, имеющих герметичную защиту. Оформление бескорпусное (Рис. П1.12). Масса транзистора не более 0,002 г. Условия эксп.туатации - в соотвесствии с табл. П2.3. ; Электрические параметры. К.тассифнкационные параметры; 21Э ЗБ пых "КЭ имх Наименование Обозначение Обратный ток коллектора, мкА [ о же при Го ™ +85° С Значенир Режим» зкачегйп КБ гпйд КБ max Обратный ток эмиттера, мкА ЭБ три Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ206А КТ206Б пра 7c-+85Cl КТ206А КТ206Б при Гс = -бОСз КТ206А КТ206Б 30 70 30 70 90 210 Емкость коллекторного перелода, пФ Максимально допустимые параметры. жаюшей среды Гс=-60...4-85°С, /к max - постоянный ТОК КОЛЛСК- тора, мА........20 /к.иша! - импульсный ТОК КОЛ- лектора. мА при /нЮ мкс, QIO , . 50 max - постоянное напряжение эмиттер - база, В: К.Т206А........20 КТ206Б........12 квтах - постоянное напряжение коллекгор - база, В: КТ206А....... 20 КГ206Б........12 Гарантируются при температуре окру» 1 - постоянное напряжение коллектор - эмнттер (Дь З кОм), В! КТ206А....., . КТ206Б....... Кгпах -постоянная рассеиваемая мощноать коллектора, мВт.......15 То-температура перехода. "С 100 Допустимая гемпература Окру жающей среды, °С , .-60..,-1-85 ) При Tq до -f-55C. Прн повышении температуры окружающей среды от 55С до 85*С допустимая мэщность уменьшается по Ийнейному закону дв 5 «Вт. 8,1 0,ii 0,В lkj,8 15 П
/2 №Е/,з,5  0 4 В 11 16 1,НА КТ207А. КТ2076, КТ207В Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные ур-п-/?-транзисторы предназначены для работы в схемах усиления п генерирования электрических колебаний, В импульсных неремонтируемых схемах, микромодулях, узлах и блоках, имеющих герметичную защиту Оформление бескорпусное с гибкими (рис. П1.13) и столбиковыми выводами (рис. П1.14). Масса транзистора не более 10 мг. Условия эксплуатации - в соогветстеии с табл. П2.3. Элъкгричесаие [tapawtjpu. Классификаннои.(ые параметрыз iid. -Kb md» 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 [ 21 ] 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||