Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 [ 175 ] 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

Наяменоаанвд	Обозна. чине	SEdaqoKiiH
				« Ч				< а
Статический коэффн ииент передачи тока в схеме ОЭ
Коэффициепт усиления по мощности (Рвых = =2,5 Вт)
Коэффициент полезного действия коллектора (Раы1-2,5 Вт). %
Емкость эмиттерного перехода, пФ
Емкость коллекторного перехода, пф										"5
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс
Критический ток коллек тора, мА		25>

Максимально допустимые параметры. кающеГ) среды Гс=60...+ 125С.

к mai - постоянный ТОК коллектора, А.......0,8

Btnax- постоянный ток базы. А 0,2

к. н itiai - импульсный ток коллектора (1и 100 мкс, Q >10), А .

ЭБтях -постоянное напряже- Ние эми(тер - ба*а, В КБ max -nocTOHHiioe Напряжение коллектор - база, В . .

1,5 4

Гарантируются при температуре окру-

КЭ max -"Постоянное напряжение коллектор - эмнттер, В 65

- рассенваемая мощность коллектора (Г.<+40С), Вт 7

„ „ - геп.юаое сопротивле-нле переход - корпус, "С .16

Допчстимая температура окру- жающей среды, °С -o0..-bi25

Допускается нзпряженне до 7В при работе в режиме геиерторя модности на частоте не ниже 100 МГц,

Для динамического режима, при «=1 40...125 к.гах* -T[jV If

Для статического режима при Тк *= 25...125* С imas BrJ =• (150 -

		г n
		"КЗ			-run -

9 ?5 IS и Ik

О,!) D,) Of OJ OJ Uij,B

0,8 0,1

	-0,2 A

0,8 0,1 0,E 0,5 0,4 03 0,1

					>
								MOOH		Г»

с zoo m m m l,rtA о t Z З 4 5 S 7 S З Uf3,S

0 0,1 0,4 Oe 0,8 1,0 1,1 1э,А 0 0,1 06 \0 1, 1,8 Р,т

0 5 Щ ?5 20 15 30 35 i,8

7U P

1,0 0,9 0,8 DJ 0,6 0,5 0,H 0,3

					E=Z8a
						-IBun

0 0,1 0,4 0,5 0,81,0 1,6 1,S F,8m

KT918A KT918B

Общие сведения. Кремниевые планэрно эпитаксиальные п-р-п транзисторы предназначены для использования в уситнтельных и генераторных neiJeMOH-тнруемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках аппаратуры широкого применения,

Вескорпусные. Транзисторы изготавливают на негерметичном ocHOBJHHn (рис П1.84). Масса транзистора не более О (5 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2 3.

Электрические параметры. Классификационные параметры)

вых мед. Ki /гр-

		Зьчелия			Режи	мы измереяия
Наименование	Обозначение					<
Обратный ток коллектора, иЛ прн Ге = +85°С при Го-60°С		0,02 0,02 0,04	2 2 3	30 30 30
Обратный ток эмнттера, мкЛ при Т(,= +85°С при бОс			100 120 100		2,5 2,5

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 [ 175 ] 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217