Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 [ 162 ] 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

Нанме fiona If!"

Обозначение

>\-жиш,1 кчмереняя

Напряжение насыщения 6ajd - эмиттер, В:

КТ926А

КТ926Б

2,5 2.5

1,0 ! .5

Модуль коэффициента лередачн тока на высокой частоте (f=IO МГц)

Статический коэффициент нередачи гока в схеме с ОЭ: КТ926А КТ926Б прн Гс = +100С при Г.=-45° С; КТ926А КТ926Б

К) 10

60 200

60 60

Максимально доаусхимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Гс=~45...+ 100°С.

/к mas -постоянный ТОК КОЛ- „~ импульсное напря-

лектора, А.......15 жение коллектор - эмиттер

Бтах -постояиный ТОК баЗЫ, (ибОО МКС, i?50), В . .200

А ..........7,

Js.amai-импульсный JOK КОЛ- ; „,3; - постоянная рассеивае-

лектора (нбОО икс, мая мондность коллектора

50), А........25 (ТнбОС), Вт.....50

б, hitiax -импульсный ток базы

(0500 мкс, Q50). А . 12 mai - температура перехода,

° С . , 150

•ЭБпия -постоянное напряже-

ние эмиттер - база, В . . 5 тепловое сопротивле-

tKSftnix-постоянное напряже- «« переход-корпус, = СВт . 2

ние коллектор - эмиттер Допустимая температура оКру

(/?.<10Ом}, В. . , , .150 жающей среды, С. ~45...--100

При 7"с •< 100° С. В диапазоне температур !00иЛ50° О напряжен? линейно уменьшается на 10% на каждые 10" С.

> При Гк = 50...100°С мощность уменьшается в соответствии с к.тахЕч"- ™ (птах - Tli/Ri, д-к 4»0



0,8 0

§

0,75 1,0 1,25 U3,S

0 I Ч S V.

1

г ii 8 8 w n H,r 0 г ii 6 8 10 n i,,a


TTll]lll[l]]

го 21 22

KT927A, КТ927Б, KT927B

*J6uiHe сведения. Кремниевые пданарные п-транзисторы прсдназнате-

"Ь1 работы в корогкойо.шовыя однопо-иосных транзисторных передатчиках Других высокочастотных схемах аппаратуры связи.



Корпус тастмэссовый, с жесткими выволами и с монтажным винтом (рнс П1 78) Масса транзистора не более 10 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2 3

Электрические параметры Классификационные параметры)

Наимспоч ahiif

Обозна

о -о

Uk. в

Обратный ток эмиттера, мА

о Oj

Обратный ток коллектор- эмиттер (Rh =0), мЛ

при Г„«-«-!25°С при Ге«~60°С

о 001

Напряжение насышения коллектор - эмиттер, В

КЗ lid с

0.35

Модуль ь оэффнциента передачи тока на высо кой частоте

а 5 =1,0

=28 В

Статический коэффини lht передачи тока в схе ме с ОЭ:

КТ927А

КТ927Б

КТ927В

при Ги=4-125°С КТ927А КТ927Б КТ927В

при Гс=~60°С КТ927А КТ927Б КТ927В

25 40

15 25 40

7 10 20

30 30 60

50 75 (00

50 75 100

Коэффициент усиления по мошности (Гне=30± drlSC, Р ных,рвр =

=75 Вт). дБ

14.5

Eg.=2S В

Коэффициент полезного дейатвия коллектора (Г««30±15° С; Р>ых.рер«75 Вт), %

=28 В





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 [ 162 ] 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217