Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 [ 151 ] 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217


0,1 0,B 1/3,5

f

].Z r,3.

£0 k9

0.9 -0,/5

-C.g5

?D 20 do 40 50 P0 W 200 Щ 1.,мД




КТ822А 1, КТ822Б-1 КТ822В-1

Общие сведения. Кремниевые мезаэпитаксиально планарные р-п-р-трлч. зисторы предназначены для использования а ключевых и линейных неремон-i-руемых гибридных схемах.

Оформление бескорпусное (рис. П1.73). Масса транзистора не более 0,03 г.

Условия эксщ1уатации - в соответствии с табл. П2 2.

Электрические параметры, Классификационные параметры:

Обозначение

Ч иченкя

S а м t"

1 о s s

и .0

« я

<

< it

•<

Обратный ЮК коллекто ра, мкА

При Гс=4-85°С

0.02 1.0

50 100

Граничное напряжение Транзистора (я 300 мкс, Q>100), В

КТ822А 1

КТ822Б-1

KT822B-I

КЭО гр

60 80

0,1 0 1

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В

0.10

Напряжение насыщения база - эмиттер, В

ЭБ нас

Входное сопротивленне Транзистора в режиме мал01о сигнала, кОм

0,15

0,3fc

1 ,0

Статический коэффициент Передачи тока в схе ме с ОЭ

при Гс=+85°С

при Гс=~40С!

25 25 15

40 41

2 2 2

I 1 1

Емкость эмиттерного перехода, пФ

lOOi

Емкость коллекторного перехода, нФ

IOOO



Значения

Режимы

измерения

Haw елшание

Обозначен ие

о с я

S s о а

<

213 max Отношение .

2.75

Граничная частота коэффициента передачи тока. Ml а

0 25

Максимально допустимые параметры. Гарантируются прн температуре (жру-хаюшсй среды Тс =-40...+85° С.

К mas ~

кэ/гтах - постоянное напряжение коллектор - эмиттер (ь 1 кОм), В;

KT822A-I...... . 45

КТ822Б-1 .......60

KT822B-I .......100

постоянная рассеиваемая мошность коллектора,

Вт..........20

7"п max ~ температура перехода,

"С ......125

Йт. ц-кр - тепловое сопротивление переход - кристалл,

С/Вт.......5,0

Допустимая температура окру-жаюшей среды, °С -40...-1-85

Допускается /тах 3 А при условии непревышения мощности. i, При = 25 С. При Ткр = 25 ... -j-eS"" С н наличии теплоотвода Ктах »Вт1 = (125 - TnVlS 4- Ят.кр-тепл) "ли max IBt] = (125 -

~-Kp)/T, п-кр - f" теплоотвода.

к max -постоянный ток кол-

лектора, А.......2

б max -постоянный ТОК бзЗЫ,

мА.........500

/к. я тая - импульсный ТОК Коллектора (иЮ мс, 0 100), А......4

Бтах -постоянное Напряжение эмиттер - база. В . , , б fi/cav -постоянное папряже-эмиттер. В:

КЭ max

ние коллектор КТ822А-1 . КТ822Б-1 КТ822В-1

45 60 80







0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 [ 151 ] 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217