|
| |
|
Главная Журналы  КТ815А, КТ815Б, KT8J5B, КТ815Г Общие сведения. Кремниевые мезаэпитаксиально-планарные п-р-п-тран-знсторы Предназначены для работы в ключевых и линейных схемах, узлах и блокчх аппаратуры. Корпус пластмассовый (рис. П1 71). Масса транзистора не более 1 г. Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2. Электрические параметры. Классификацнопные параметры: 21Э КЭО гр- Наименование Обозна-чение Значения Режимы измерения Обратный ток киллекто- ра, мкА при Гс=-40 +*25°С прн Гс= + 100С 0,06 5 50 1000 40 40 Граничное напряжение транзисшра <300 мкс, QlOO)- КТ815А КТ815Б KT8I5B КТ815Г КЭО гр 25 40 60 50 50 50 50 Напряжение насыщении коллектор - эмиттер, В КЭ нас 500 50 Напрял(енне насыщения база - эмиттер, В БЭ нас Входное сопротивление Транзистора в режиме малого сигнала, Ом - t Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ KT8I5A, КТ815Б, КТ815В КТ815Г 300 Ш 70 70 150 150
Максимально допустимые параметры. I арантируются при температуре окру жающей среды Ге =-40...--ЮО" С, ктах -постоянный ТОК коллектора, А.......1,5 Ешак -постоянный ток бйЗЫ, А ..........0,5 /к.нгаа! - КМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ- лектора (£н10 мс, 100), А...... . 3 КЭшах - постоянное напряжение коллектор - эмиттер, В: КТ815А........ 25 КТ815Б........ 40 КТ81бВ........ 60 КТ815Г 80 Кэдгаах -постоянное напряжение Коллектор - эмнтгер iR <100 Ом), В: КТ815А 40 КТ815Б ........ 50 KT8J5B........70 КТ815Г........100 -эьшах - постоянное напряжение эмиттер - база, В . , 5 Krr.ix -постоянная рассеиваемая мощность коллекгора прн Гк=25°С, Вт . . . .10 То же без гегггаотвода при 7=25" С .......1 Tj. mas -температура перехода, °С....., .... 125 Допустимая температура окружающей среды, "С . -4O..,-hl0O При условии непревышения мощности см. следующуго сноску. Шри-наличин теплоотвода Pjij, уменьшается линейно на 0,1 ВтЛС при температуре корпуса выше 25° С. Без теплоотвода max уменьшается лицейно на 0,01 Вт/° С при увеличе.чии температуры окружающей среды выше 25" С, (Входные и выходные характеристики, а также зависимос1и основных пентаметров от режима см, на с. 438). >г1Э БО 20 О
0,10 0,05 О   КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Р Обшт сведения. Кремниевые мезапланарно-эпнтаксиальные р-п-р-транзисторы предназначены для применения в ключевых и линейных схемах, узлах в блоках аппаратуры. Корпус пластмассовый (рис. П1.71), Масса транзистора не более 0,7 г« Услопия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2. Электрические параметры. Классификационные параметрыз 21Э КЭО гр-
Граничное напряжение транзистора Си 300 мкс, С>100),В: КТ816А КТ816Б КТ816В КТ81ЬГ КЭО гр 25 45 60 100 100 100 100 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 [ 145 ] 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||