Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 [ 127 ] 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

Макс)1мал1,нг) допустимые параметры. Гарантируются прн темпеоатуре окружающей среды П =-00...+125С. н f f KJ

Ы max - постоянный ТОК КОЛЛСК-

тора, мА 60

эв та?! -постоянное напряжение эмнттер - база, В . , 3

КБ max - постоянное вапояже-ние коллектор - база, В. . 25

кшах -постоянная рассеиваемая МО щность коллекто-ра, мВт........600

Та max -температура перехода, "С .........150

т, п-тепл - тепловое сопротивление, С/мВт .....0,15

Допустимая температура окружающей среды, °С . -60...-Ы25

) в диапаз&не температур теплоотвода -60...4-60С. При повышении температуры от 60 до 125Q Pj [Вт]-.(1,;0С -

-Tyy-mi)! 50, где TljgQjj-температура тез-лоотвода.

0,5 0,fi \0 (Гэб,1

град


Я his. град

нтsш-r

в 10 10 30 ko 50 h,MA г

13 Зак. 503

38,>



I=30nA F=w9mr\j,


15 U,,S

0 10 10 3l> 0 50 1з,мА

80 60 40 EC

{=7ГГи, " h = h5MA

K\640A ~НТШ6

f

\i Вых,

г Ир

30 h )50 TO

50

f = 7rru,

Эквивалентная схема транзистора

1-(I-

-1- кг

/-т=0,5 нГн-вндуктнвросгь эмиттера; £.6 = 0,3 нГн - индуктивность базы Ги = 0,5 нГн-индуктивность коллектора; Скэ=0,12 пФ-емкость коллектор"



-эмиттер: Ci=0,I6 аФ-конструктивная емкость эмитгер-база; €2=1),пФ- -конструктивная емкость коллектор-база: Сц! =0,15 пФ-активная гмкость коллектора {U=15Q): Скг=0.35 пФ-пассивная емкость коллектора (t/n = I5B)j

/f5=.4 Ом-сопротивление базы; Гэ=----сопротивление эмиттернвго перехода

- ж 26 мВ ; Сз-зарядная емкость эмиттерного перехвда (в рабочем режн-

\ Й I

ме составляет « 3-4 пФ) Гк = (1 5 2) Ом-эквиваленткое последовательное оопротивленИе квллектора (/"-Z ГГц, t/K"-lOB)i ©рр-Зп/вр-граничная частота

2.3. ТРАНЗИСТОРЫ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ Диапазон низыих частот


П210Б, F1210B

Общие сведевия. Германиевые сплавные р-п-р транансгоры предиазна1е-яы для работы в выходных каскадах приемной, усилительной н другой аппаратуры

Корпус металлический, герметичный, е жесткими выводами (рис. Hi til). Масса транзистора не более 37 г. Масса фланца для крепления транзистора- 8 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2. Электрические параметры. Классификационные параметры

Наименованно

Обозначение

. о S s

li я

к! га з: -

<

к

<

<

Обратный ток коллектора, mAi

п21об

П210В

При Гн-+7(Г Cl

П210Б

П210В

При --60° С)

П210Б

П210В





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 [ 127 ] 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217