Главная Журналы .....N.......Пф111И111И1Ц1И1 МП114 МПП5, МППб 19 го 21 гг 23 Общие сведения. Кремниевые р.-п-р сплавные малошумяшие транзисторы предназначены для работы в усилительных и генераторных схемах. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.1,а). Масса транзистора не более 2,5 г. Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2. Электрические параметры. Классификационные параметры! ftaia- КЗщах Ш*
Наиыеновавие Обозначение < Выходная проводимость н режиме малого сигнала при х.х. в схеме с 03, мкСм: МП114, ЛШ115 МП 116 в схеме с ОБ, мкСм: . МП114, МП115 МП116 10 Го 49 50 3,3 2 Предельная коэффициента чи тока. кГц: МП114, МПП5 МПП6 частота переда- 100 500 1100 2000 Предельная частота коэффициента передачи тока в инверсном включении, кГц: ДШ114, МП115 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц: МП114, МП115 MI1I16 0,083 0.5 0.92 2.0 Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окруиающеи среды 7"с = -60...-(-100 С. тат - постоянный ТОК КОЛЛСК- тора, мА........10 /кнтя! - ток коллектора в режиме переключения, мА . . ЗБ так - постоянное напряжение эмиттер - база, В . . . КБ max - постоянное напряжение коллектор - база, В МП114: при Гс70°С . при Гс>70°С . МПИ5: при Гс<70°С , при Тс > 70° С . МП116; при Гс70°С . при 7с>70°С . КЭ max - постоянное напряже-. ние коллектор-эмиттер, В иП114: при Гс70°С . при Го > 70" С МП115: при ГсТО-С при 7с>70С . МП1]б: при Тс70°С . при Гс>70°С . - постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт при Гс 70" С...... при Гс = 100°С..... Допустимая температура окружающей среды, "С ... -60 ... -ЫОО 60 50 30 15 15 10 150 60 При повышении температуры окружающей среды от 70 до 100° С"допусти* ыая мощность уменьшается линейно.
5 3 5 w n за ffH3.
Id dU HQ h eo 7р1э,«А ГТИоА. ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г ГТ115Д Общие сведения. Германиевые сплавные р-п-р транзисторы пред[[азпачены для усиления и генерирования иггзкочастотных колебаний, а также для работы в других схемах. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.2,й), Масса транзистора не более 0,6 г. , Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2 2. Электрические параметры. Классификационные параметры: £13, КВ шах. 2iG- v 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 [ 12 ] 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 |