Журналы. GSS системы.

	Обозна* ченнр	Режимы т -epj .ия
	Обозна* ченнр		<	<: J)
Обратный ток коллектора (7,=-45..-ь85С), мкА
Обратный ток эмиттера, мкА
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В	КЭ HBG
Напряжение 11асыщения база- эмитгер. В	ПЭ нас
Модуль (коэффициента передачи тока на высокой частоте i laial
Сглический ко-ффициент передач» гока в схеме с ОЭ {/,<30 мкс, Q50)
Время рассасыиания. ас
f чкосгь коллекторного перехода, 1Ф
1.мкопь эмиттериого перехода.

максимально допустимые параметры Ч. Гарантируются г.ра температуре Kopnytd /«=-45..-Ь85С.

Ы laat - постоянный ток коллектора, А......... 1,0

к и гад1 - импульсный ток коллектора ((,<5 мкс, 10), л........1,3

=6 та» - постоянное напряжение змиттер - база, В , , 4

к-пй\ -постоянное напряжение коллекюр - база, В , 30

Б Составе микросхемы!

KdPm-ix -посюятпюе напряжение KObieKTjp - эмиттер iR, =5 kOmJ. в.....

Рк. caai - постоянная рассеиваемая MOHJHOCTb г.оллекгора, Вт при 7"„=,-45.. +70=С ... 1.0 при Г„=-Ь85=С.....0,7

Та max - температура перехода, "С..........120

Допустимая температура окружающей среды, "С , -45..,4-85