|
| |
|
Главная Журналы
1) При повышении температуры перехода от 100 до 150С напряжение уменьшается линейно. 2} В интервале температур окружающей среды 25..Л00=С Рках 1Вт1==(150-Гс)/т,в-с. 3) В интервале температур на корпусе 25... ЮО°С Рк ш. = П50-Г„)/,/гт, п-н- 60 hO 30
0 zo hO 60 80 WOJItri,B HJm-Ah=0,2MA;HW15JhD,lM4 120 100 £0 ifO ZO
 тщт.......iiiiiiiin ia го 31 !2 KTC613A, КТС613Б, КТС613Б. КТС613Г Общие сведения. Кремниевые эпитзксиально-планарт>1е л-л-Транзистор-ные матрицы предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах, блоках вычислительных машин в другой аппаратуре. Корпус металлппеский, герметичный, с гибкими выводами, (рис. П1.5б,в), Л5асса матрицы не более 4 г. В матрице 4 электрически изолированных транзисторных структур, Условия эксплуатации-в соответствии с табл. П2.2. Электрические параметры. Классификациоииые параметры! 21э> КВтах.
Максимально допустимые параметры. /к шаг - постоянный ТОК КОЛ- U leKTopa (Гс-45...-1-85° С), мА..........400 1к а шах - импульсный ТОК КОЛ- лектора СаЮ мкс, Q2, 7с= 45..--85С), мА . . 800 кэк, max - постоянное напряже- у вие коллектор - эмиттер iR =0), В при Гс-45...4-70° О КТС613А, КТС613Б .... 60 KTC6I3B, КТС613Г . , . 40 при 7с = --120С; КТС613А, КТС613Б .... 30 КТС613В, КТС613Г .... 20 КЭ R max ~ постоянное Напряжение коллектор - эмиттер (Rp. 1 кОм), в прн 7"=-45...-1-70= С: КТС613А, КТС613Б , ... 50 КТС613В. КТС613Г .... 30 при 7с= + 120°С;. КТС613А, КТС613Б ... 25 КТС613В, КТС613Г .... 15 Ktnax -постоянное напряжение коллектор - база, В При Г„==-45..-i-70C: КТС613А КТС613Б .... 60 КТС613В, КТС613Г .... 40 при Гс=--120°С: . КТС613А, КТС613Б .... 30 КТС613В, К1С613Г .... 20 КЭ Лтах - импульсное напряжение коллекгор - эмиттер (Q2, (иЮ мкс, 1 кОм), В: KTC6I3A, КТС613Б .... 70 КТС613В, КТС613Г .... 50 КБ.нт.х-импульсное Напряжение коллектор - база (Q2, » иЮ мкс), В При 7с=-45..4-70°С: КТС613А, КТС613Б . . , . БО КТС613В, КТС613Г .... 60 при 7с «==-1-120° С: КТС613А, КТС613Б .... 40 КТС613В, КТС613Г .... 30 эт-т.-л-постоянное напряжение эмиттер - база, в . , 4 SPjg - постоянная рассеиваемая мощность всех структур транзисторной матрицы, Вт дри Гс=-45...4-50С ... 0,8 при Гв«=-ь85°С ..... 0,2 *"и max - импульсная рассеиваемая мощность транзистор-вой матрицы (иЮ мкс, Q>2), Вт прн 45...-i-50°G ... 3,2 при Т„<==+8Б°С ..... 0,8 перехода, ITb max - температура С..... 3 4Я 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 [ 114 ] 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||