|
| |
|
Главная Журналы детектором помещены в охлаждаемый до Г~140/С криостат. Основной усилитель с большим коэффициентом усиления обеспечивает прохождение регистрируемого тока только через конденсатор обратной связи 0,5 пФ. Выбор транзистора Qi зависит от величины емкости детектора. Для уменьшения шумов необхо- > Смещение -HDR 22 МОм 22М0М I----- +24В о Кали6~\ ровна 100\ Детектор- 0,01 ф 0,01 мкф 0,5Г 0,5пФ, и 22 100 пФ 22 ::0,5пФ Криостат 7> Выход Рис. 168. Охлаждаемый входной каскад зарядочувствительного усилителя. Используются кремниевые п-канальные ПТУП 2N486I или 2N3823 (Qi) и 2N3823 (Qa) димо использовать приборы с высоким значением отношения gm/Cg. с другой стороны, можно показать [408, 413], что минимальный уровень шума системы регистрации достигается когда Cgr=Ci,-hCF. Поэтому в ряде случаев может оказаться выгодным параллельное соединение нескольких транзисторов [408]. Некоторые свойства Ge, Si. GaAs и SiOg при 300 К [35]
0,9 В Температурный коэффициент барьерного потенциала я]) в функции величины я]) при 300 К 1 - резкий переход; 2 - «линейный» переход МВгрод 2,6 1,6 1,4 0,£ 0,9 В Зависимость барьерного потенциала от концентрации примесей для резкого перехода (прямая правая ось ординат) и от градиента концентрации Ьг для перехода с линейным распределением примесей (прямая 2, левая ось ординат) [416]. 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 [ 91 ] 92 93 94 95 96 97 98 99 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||