|
| |
|
Главная Журналы схемы на рис. 157, а, в которой половина напряжения стока передается на затвор ПТ *. В этом случае Vgo + Vds  (13-4) Рис. 157. Повышение линейности характеристик с помощыо обратной связи (транзистор с п-каналом; Vt=-2 В)., На подложке - «плавающий» потенциал или обратное- смещение и подстановка в (13-1) дает lD = -~Vos{VaG-2Vr), т. е. стоковая характеристика линейна и симметрична относительно FnsO, а соответствующее сопротивление прибора между стоком и истоком равно р ? * Следует отметить, что в уравнении (5) работы [393] допущена ошибка, делающая полученный в этой работе результат количественно неверным. Напряжение и ток стока, при которых достигается насыщение, находятся подстановкой (13-4) в (13-3), а затем Ь (13-2): За пределами этой области - Vgg± Vds (13-5) Как следует из (13-5), характеристики остаются симметричными и при работе в режиме насыщения, однако прибор уже нельзя считать источником тока из-за зависимости Id от Vds-Сравнение характеристик, приведенных на рис. 157,6 и 156, показывает, что введение обратной связи увеличивает диапазон линейности по крайней мере на порядок. Этот результат подтверждается данными экспериментов [393]. Управляющее напряжение Vc VrO- -oVn Рис. 158. Схемы управляемых напряжением аттенюаторов 13.2.2. Аттенюаторы, управляемые напряжением. Некоторые варианты построения управляемых аттенюаторов представлены, на рис. 158. Схема на рис. 158, а является простейшим делителем напряжения с регулируемым нижним плечом. Минимальное ослабление сигнала в такой схеме при запертом транзисторе практически равно единице; максимальное ослабление зависит от соотношения между сопротивлениями Rs и Rns-Реально достижимый диапазон регулирования составляет 20- 30 дБ *. Недостатком схемы является малая допустимая амплитуда сигнала из-за нелинейности характеристики регулировочного транзистора. Этот недостаток, как было показано в предыдущем разделе, можно устранить введением отрицательной обратной связи (рис. 158,6). Схема на рис. 158, в представляет собой аттенюатор мостового типа, который при Rds=R дает бесконечное бслабление [306]. Поскольку баланс моста критичен к температуре, для улучшения стабильности работы желательно использовать резистор R, изготовленный из кремния. 13.2.3. Множительио-делительные устройства [306, 385 - 389]. На рис. 159 приведена схема одноквадрантного перемно- VyO- "10 100 мк А Of R 5к Рис. 159. Множительное устройство на согласованных МОП-транзисторах жения двух напряжений Vy и Vz, использующая пару согласованных МОП-транзисторов **. Выходное напряжение дифференциального усилителя Л1 изменяет сопротивление Rds\ транзистора Qi до тех" пор, пока напряжение на стоке Qi, равное * Эта цифра, по-видимому, является заниженной. Согласно [123], диапазон регулирования такой схемы может достигать 60 дБ. (Прим. пер.) ** Простая схема аналогового возведения напряжения в квадрат описана в [123]. (Прим. пер.) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 [ 87 ] 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 |