|
| |
|
Главная Журналы Эттаксиальньп р-слой  Дисрсругионныа верхний, за те ор tl  Изолирующая п-диффузия  Сток Исток  13атвор-2 Рис. 12. Последовательность изготовления эпитаксиально-диффузионного транзистора с изоляцией [44] металла для создания омических контактов к истоку, стоку и подложке (рис. 12,г). В данной конструкции приборл емкость затвора определяется размерами р-области и потому существенно меньше, чем в транзисторах, рассмотренных выше. 2.3.5. Эпитаксиально-диффузионный транзистор для интегральных схем. В рассмотренных выше конструкциях подложка  ЭЛитансиальныи р-слой Изолирующая  ЭЛитаксиальный п-рлой 
Рис. 13. Изготовление эпитаксиально-диффузионного транзистора для. инте-создании изолирующего р-/г-перехода; в - эпитаксиальное наращивание-д - диффузия примеси р-типа дли образования верхнего затвора; е - создание представляла собой затвор транзистора, что исключало возможность размещения нескольких приборов на одном кристалле. Этот недостаток может быть устранен изоляцией нижнего затвора от подложки с помощью обратносмещенного р-п-пере-хода (рис. 13). Хотя подобная технология используется весьма широко, она не может считаться вполне удовлетворительной, поскольку между отдельными транзисторами все же существует паразитная связь за счет токов утечки и емкостей изолирующих р-п-переходов. Для улучшения развязки элементов были предложены методы диэлектрической изоляции с помощью слоев двуокиси кремния [36, 45]. Токи утечки при этом становятся пренебрежимо малыми, а паразитные емкости могут быть умень- р-дифсрузип.  Ди/рфуэионныи верхний затвор  п+-диср(рузия Верхний эашор Нижний затвор  бальных схем: а - исходный материал; б - диффузия примеси п-типа для роя п-типа, образующего область канала; г - создание нижнего затвора; рластей п+-типа для электродов истока и стока и последующая металлизация эны до требуемой величины увеличением толщины окисла. 2.3.6. Многоканальные транзисторы. В целях создания мощ-Мх ПТУП с высокой крутизной и хорошими частотными свой-fBaMH были разработаны различные варианты многоканаль-ых приборов [42, 46, 47]. Эти транзисторы фактически состоят большого числа одноканальных ПТУП, соединенных параллельно и рассчитанных так, чтобы оптимизировать суммарное р. Кобболд . 33 0 1 2 3 4 5 6 7 [ 8 ] 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 |