Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 [ 55 ] 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99

приведены результаты экспериментальных измерений элементов схемы, выполненных на приборах четырех типов (рис, 87, б).

Нетрудно убедиться, что если oCgs*/?gs*< 1, (oCd*Rd*<h у-параметры схемы с общим истоком для цепи (рис. 87, а) выражаются в виде [259-261]:

У21 =

Rls{<clsf+}Mcls+cldy,

У12 = -/oCgd;

У22-

1 + (WT)2 1

-/СО

1 + (С0Т)2

(8-30)

+ {aCdYRd + Mcl4 + C*d).

Обозначив индексами г и i соответственно активную и реактивную составляющие проводимостей, из (8-30), получаем:

Г*.- • г*

У22С

gni=(j/2ir)<i)o; t

«.У

~ Cgd;

, у22г /со-0

у21г у22г - l/ds

. (8-31)

Таким образом, все элементы эквивалентной схемы могут быть определены на опыте из измерений у-параметров на низкой и высокой частслах. Результаты, полученные в [259] для транзисторов рис. 87,6), приведены в табл. 8.1, а частотные зависимости у-параметров транзисторов № 1 и № 3 - на рис. 88. На этом же рисунке сплошными линиями показаны зависимости, полученные подстановкой данных табл. 8.1 в (8-30).

Таблица 8.1

Измеренные параметры транзисторов, изображенных на рнс. 87

S s и о га о.

Геометрия

S а г

»=ь

« lac

S ад

т. с

Линейная

1,67

0,40

1,67

Круговая

12,5

1,98

0.57

1.18

1950

Круговая

12,5

4,00

1,11

2.08

1800

«Змейко-

1375

37,5

3,80

0,19

1.72

1550

0.43.10-9

вая»

Как следует из рис. 88, для обоих приборов во всем диапазоне частот У2н=ут, так что нет необходимости вводить в схему комплексный генератор тока. Однако для транзистора



Рис.

?8. Расчетные и экспериментальные зависимости /-пара-метров транзисторов № 1 (а) и № 3 (б) рнс. 87, б

«о с;

---+V

/ "

- +V22r

4 6 в т 20

Частота

10 8 6

«о «а

1,0 0,6 0,6

0,1 0,08 0,06

0,04

0,02

0,01 0,008 0,006

0,004

4-7/

>

1 <

- +Й



№ 4, вследствие большей длины канала, проводимость t/2ir заметно уменьшается при частотах выше 100 МГц и подобное упрощение в этом случае невозможно.

Появление на высоких частотах активной проводимости yi2r (рис. 88, б) противоречит эквивалентной схеме рис. 87, а. Как показано в {262], это несоответствие обусловлено сопротивлением Rs (рис. 83), которое не учитывается должным образом эквивалентной схемой рис. 87, а.. Несмотря на наличие и некоторых других расхождений в области высоких частот, рассмотренная упрощенная схема с достаточной степенью точности описывает основные параметры полевого транзистора и может использоваться при расчетах электрических схем до частот порядка 100 МГц.

Глава 9 • • .

ШУМЫ В ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ .

9.1. Введение

9.1.1. Характеристики шумов. Несмотря .на многообразие причин возникновения шума в полупроводниковых и вакуумных приборах [263], по ряду характерных признаков шумы можно разбить на три основные группы - тепловой шум, дробовый эффект, \/J - шумы.

Тепловой (джонсоновскии) шум вызывается хаотическим движением, носителей заряда в проводящей среде. Если тело находится при температуре Т и имеет сопротивление R, его шумовые свойства согласно теореме

Найквиста описываются введением шумового генератора напряжения Vv

или шумового генератора тока V i, включенного параллельно проводимости G=\/R:

где k-постоянная Больцмана; Д/ - ширина полосы, в которой измеряется шум. В общем случае G является частотиозависящей величиной, при этом средний квадрат шумового тока записывается как

h

i = \4kTG{})df. . : - (9-2)

Дробовый шум является следствием дискретности электрических зарядов, переносимых в цепи при протекании тока /, и определяется временными флуктуацйями числа носителей, проходящих через заданное сечение проводника в единицу времени. В этом случае

Р = 29/АД (9-3)

Уравнение (9-3) справедливо, если флуктуации числа носителей заряда статистически независимы. В некоторых случаях это условие не выполняется. Например, в вакуумном диоде, работающем в режиме объемного заряда, флуктуации числа эмиттированных электронов подавляются обратным влиянием пространственного заряда на эмиссию [264], и шумовой ток оказы-





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 [ 55 ] 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99