Главная Журналы Вычисление интегралов (4-9) может быть выполнено по методике, рассмотренной в гл. 3. 4.2.2. Динамические модели. Приближенный анализ переходных процессов в двухзатворном ПТУП при большом сигнале может быть осуществлен с помощью статических уравнений заряда и уравнений, приведенных в § 3.2. Для этого, однако, требуется выполнение добавочного предположения о том, что зависимости среднего тока канала и зарядов в ОПЗ от напряжений на электродах во время переходных процессов остаются такими же, как и в статическом случае (квазистационаряое приближение) [132]. Это означает, по существу, пренебрежение влиянием сопротивления канала на переходное перераспределение заряда. Обозначая суммарные токи и потенциалы (представляющие собой сумму постоянных и переменных составляющих) через Igi, 2, Is, Id, Wgsi, 2, Vds, можно записать (4-10) Igi = dQn . 02 = " (4-11) dt -dt Согласно условию квазистационарности функциональная зависимость Qii и Qi2 получается заменой в (4-9) постоянных потенциалов суммарными. Используя частные производные, (4-10) можно переписать как Is - Id = bgsi -7.--г bg + . .l№sp:W + . /JIospY), (4.,2)
(4-13) . r d (WgS2 - Vbs) --t-• где интегральные емкости Cggj и Cggg определяются соотношениями [133]: Для завершения модели прибора при большом сигнале необходимо ввести выражения, связывающие ток стока с напряжением на электродах. В рамках квазистационарного приближения полный ток представляется суммой среднего тока проводимости Id и токов смещения. Поскольку &s = ds(WcSl, CS2, Vds)=, 1Ъ= \ gasicsi, "cs, VdsWds и мгновенное значение полного тока стока Id = J gdslwGSi, Wgs2, VdsJ "Vds-bgrfi---- -C..lff2). (4-16) Таким образом, уравнения (4-12) и (4-16) образуют нелинейную модель прибора, позволяющую при заданных условиях вычислить мгновенные токи или напряжения. В случае малого сигнала (4-12) и (4-16) значительно упрощаются [132, 134]: id = gmlga + gm2VgiZ + gdsVds- 1 r d (Vgs2 - Vds) . fл]7 + 4d2---, (4-1/) d(vgsi - Vds) r d(vgsi - Vd) ---- *-crrf2 -:- где V и i - величины сигналов, a gmi и gm2 - значения крутизны по первому и второму затвору, определенные в гл. 3. Со- 6) . • i %/={= %T ffds -cs:- Рис. 43. Малосигнальные эквивалентные схемы активной области четырех-н трехэлектродного ПТУП: а-схема четырехэлектродного прибора [134]-б -упрощенный вариант схемы-рис. 43, а в случае Vgsi=Q или t;g2=0 или при Cgg,=Cgg2=Cgg; е - эквивалентная схема трехэлектродного прибора 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 [ 25 ] 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 |