Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 [ 23 ] 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99

для ПТУП с /г-каналом при концентрации примесей Ю см" и я1:зоо =0,65 В формула (3-88) дает

/ог/т.= 0.313В. (3-90)

Это значение близко к величине, наблюдаемой на практике (0,29-0,33 В).

ИВ, 3,0

[VosfV-VesmQj

~ \>-

/ V

1 / 1

/ /

40/ 00 т

-30 / 0

20<о-а.~-о во 100 "С

- J

-0,4

Рис. 38. Изменение с температурой напряжения затвор-исток для трех транзисторов при токах стоков Idz, подобратых для получения минимального температурного коэффициента [112]: / - 0,2 мА, 2 - 0,32 мА; 5 - 0,31 мА-Токи насыщения /со (при Vgs=0) равны: / -1,6 мА; 2-1,3 мА; 5 - 2,7 мА (Напряжение на стоках поддерживалось равным -10 В)

Напряжение на затворе Vgsz, обеспечивающее нулевой температурный дрейф, из (3-77) и (3-88) получается

V03Z\ = \V

Для я=2 подстановка (3-90) дает

llcsz = Vpo 1-0,626 В.



Поскольку величина Vpo обычно лежит в пределах 1 B<Vpo<5B, нулевой температурный коэффициент часто реализуется при Vgs, близком к напряжению отсечки. Такой режим, вообще говоря, нежелателен из-за малой крутизны gm.

Так как (1/а)/(doldT) является функцией температуры [112], точная компенсация возможна лишь при одном значении Т. На практике, однако, удается получить весьма малые изменения Vgs в широком диапазоне температур. Как следует из рис. 38, с отобранными экземплярами транзисторов при изменении Т от

пВ/град

-1,0

-2,t

\ dVes

dT 1 1

1 1 1 1 1 iSl

1 1

1 1 r J 1 1 1 ,

0,7 0,2

0,5 J,0\

5,0 Vnllvz

Рис. 39. Расчетная зависимость температурного коэффициента напряжения затвор -исток от тока насыщения стока, нормированного на величину Ibz-/1=2,0; &ldT=2 мВ/град

-30 до -f 100°С может быть получена стабильность ±1 мВ.

Температурный коэффициент напряжения затвора dVos/dT для различных токов стока (рис. 39) находится из соотношения (3-89), которое хорошо согласуется с экспериментальными результатами.

Если постоянным поддерживается напряжение на затворе, температурный коэффициент тока стока определится из (3-87), (3-88) и (3-77) как

Vcs Vpo - VcszJ

Типичные экспериментальные зависимости Id{T) для транзистора с малым напряжением отсечки приведены на рис. 40, а.

Из (3-22) следует, что температурвый коэффициент gm также может обращаться в нуль. При малых Vgs зависимость




2,0 1,0 0,5

0,2 O.J

I.I 1

1 1 ) [

I ~~--

9 "--

----

1 1 1

1 1 1 1

Рис. 40 Экспериментальные температурные зависимости тока стока и крутизны в режиме насыщения при различных напряжениях на затворе. Данные получены на кремниевом р-канальном ПТУП с напряжением перекрытия Vpo=l,2 В: а - нормированный ток стока; б -• нормированная крутизна передаточной характеристики, Vgs, В: 1-0; 2 - 0,3; 3-0,6, 4 - 0.9 при Vi,s= -5 В

-75 -50 -25 О 26 5 0 75 700 725 °С

1 1 1

1 1 1 1

--1-1 1

I 1 1 1 .

-SO -25

Рис. 41. Экспериментальные температурные зависимости /с (1), gm (2) и Tds (3) при Vx)s=-10 В, V(}s=0 и.Гйг (4) при Vi,s=Vgs=0 для кремниевого р-канального ПТУП, нормированные на 7=25" С





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 [ 23 ] 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99