|
| |
|
Главная Журналы К514КТ1 22 20 3 2f  Общ: Основные параметры микросхемы К514ИД1 Параметр Значение Напряжения на выводе, В ••• 6 . 7 Рвых, мА, ие более вых, мА, не более Гвых. мА, ие -менее Рвх, мА, не (более 1вх, мА, ие более InoT, мА, не более • Свых=0.8 в. " изых=1.7 В. Вывод 8 заземлен. 0,3* 4,6* 2,5** -1,6 0,07 50 0,8 0.8 1.8 0.4 2.4 2,4 0,8 0,8 1.8 0.8 1.8 1,8 1.8 0.8 0,8 0.8 0,8 0,8 5.25 4,75 4.75 5.25 5.25 5,25 Основные параметры микросхемы К514ИД2 Параметр Значение Напряжение на выводе. В I 2.4 I мкА, ие 6ojiee ивых. В, ие более Рвх. мА, ие гболее • вх. мА, ие более InoT. мА, ие более • ивых=10 В. " 18ых*20 «А. *** Вывод 8 заземлен. 225* 0.36** -1,6 0.1 50 0,8 1,8 0,4 2,4 2,4 0.8 1.8 1.8 0,8 0,8 0,8 5,25 4,75 5,25 5,25 5,25 Ток на- входе закрытой микросхемы, не более, мкА . . . 15D Импульсный выходной ток (при Скважности 9 и длительности импульса ие более 500 мкс), не более, мА . . . . . 400 Входное напряжение, ие более..........Ub.d -Входные наскаВы Вых К514ИД1 Вых К51АИД2 нд14ИД2  К514ИД1
К614ИД2 13 12 11 10 9. 15 П А В С В Е F & 2" 22 2 и Общ. Г 7\ l\ 2\ б\ 1в\ 8\ 4 Е\ \С В . Ток нагрузки на каждом выходе, мА: для К514ИД1.............. 7,5 для К514ИД2............. 22 Напряженнэ источника питания. В, не белее . . ... . . 5,25 Выходное напряженне. В, не более......... 5,25 Напряженне на каждом выходе (для К514ИД2), В..... 6 Основные параметры микросхемы К545КТ1
• 1) иип=4.5 В»». 2) и„„-5.5 В»». 3) U„-0 В. 4) Ub,-0,4 В. 5) Ubi-5.5 В. С) ивых=5.5 В. 7) Гвых-20 мА. 8) Рвых-ПО «А- »» Напряжение источника оитания (-bU„ „) подается на вывод 14 (общий), а напряжение О В подается на вывод 7. Входные н выходные напряжения приведены относительно вывода 7 (источник питания). К545КТ1 ГЗ 1Z 11 10 9 Ключ А 2 3,-4 5 6 А-разряВный ключ S-сегментный ключ 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 [ 41 ] |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||