|
| |
|
Главная Журналы проще обеспечить постоянное соотношение напряжений и постоянный фазовый сдвиг, равный 90°, между двумя выходными сигналами, прошедшими через фазосдвигающие цепочки. Схемы я расчетные формулы таких широкополосных фазовращателей приведены в табл. 5. Симметричное напряжение подается на входы 1 и 2. Напряжения на выходах 3, 4 сдвинуты по фазе одно относительно другого на 90°. В двухканальном приемнике используются два одинаковых фазовращателя. В одном канале сумматор подключается к выходу 3 первого, а в другом - к выходу 4 второго фазовращателей. Прн изменении рабочей полосы частот сумматор переключают к выходу 4 первого и к выходу 3 второго фазовращателей. Таблица 4 Пропорционально-интегрирующие фильтры Схема с Rz R{C, + C,) (Ri + R2)C 1{\ + К) + С Расчетные данные табл. 5 приведены для коэффициента перекрытия по диапазону, равного 12, например для полосы частот 300-3600 Гц или 150 кГц - 1,8 МГц. Через Sg, обозначена средне-гео.метрическая частота границ полосы пропускания фазовращателя. Для всех схем при подборе элементов с точностью до 1% погрешность фазового сдвига Дф не превышает 0,03. Фазовращатель на пассивных /?С-элементах (схема 1) имеет коэффициент передачи по напряжению 0,3. Сопротивление резисто- Широкополосные фазовра1цатели Таблица 5 Схема Расчетные формзлы   Sg,.C, = 0.498 eg,.C. = 2,01 ~C, =r =0,175 Cg,/?,C.= 0.146 Gg,i?,C3 = 0,586 Ci?,C,= 1.70 фЛ2C•. = 6.86  S/L,C, = 2.01 S/i;c; = 0.498 /?=1.збК/:,"с\ 0,0725 pa Rl выбирается в зависимости от рабочей частоты в пределах от одного до нескольких десятков килоом и должно быть намного меньше входного сопротивления последующих усилительных каскадов. Больший коэффициент передачи имеет фазовращатель с буфер-НЫ.МИ транзисторами (схема 2). Коэффициент передачи этой схемы приближенно равен коэффициенту усиления третьего каскада. Вход фазовращателя несимметричный. Регулировки фазы и амплитуды входных напряжений независимые. В каждом каскаде эмиттерные и коллекторные резисторы одинаковы и имеют сопротивление около одного килоома. Сопротивления резисторов Ri и намного больше. Резистивно-емкостные схемы целесообразно при.менять в диапазоне от длинных до средних волн. На более высоких частотах (около 20-30 МГц) емкости конденсаторов фазовращателя оказываются равными единицам пикофарад, а сопротивления - десятка.м ом. Это соизмеримо с емкостями монтажа, а также с реактивными проводимостями транзисторов. Для индуктивно-емкостных фазовращателей (схе-ма 3) частотная граница применимости при сохранении высокой точности фазового сдвига лежит в пределах 30-50 МГц. Рассмотренные в настоящем параграфе элементы синхронного демодулятора могут быть выполнены на микросхемах. Перечень некоторых микросхем дается в приложении. СХЕМЫ СИНХРОННЫХ ДЕМОДУЛЯТОРОВ На рис. 30 показана принципиальная схема демодулятора для одноканального АМ-ЧМ приемника, разработанная фирмой «Сигие-тик». Она построена на основе системы фазовой автоподстройки частоты и выполнена на интегральных компонентах. Кроме конденсаторов, почти все элементы схемы размещаются на кремниевой пластине размером 1,7X1,8 мм. Фазовый детектор выполнен на транзисторах 7"i-Tj, амплитудный - на Ts-7",4, синхронный гетеродин - на Г15-Тц, предварительный усилитель низкой частоты - на Т25-Ггв. Положение переключателя Bi, показанное на рисунке, соответствует режиму приема AM сигналов. Напряжение сигнала через вход 2 подается на базу транзистора амплитудного детектора 7",2, а сн.мметричное напряжение синхронного гетеродина - иа базы транзисторов Ti-Ti и Ts-Гц. Низкочастотное напряжение снимается с сопротивления нагрузки детектора Rg и через разделительный конденсатор С« подается на выход 3. Конденсатор С?, резистор Ra и сопротивление внешней нагрузки образуют фильтр нижних частот. Одновременно входное напряжение AM сигнала сдвигается по фазе цепочкой R2C3R1C2 и поступает на базу транзистора Га, который входит в схе.му фазового детектора. В схеме должно выполняться условие RiC2= =/?2Сз=1/шс, где Шс - частота входного сигнала. Выходной сигнал фазового детектора проходит через симметричный пропорционально-интегрирующий фильтр нижних частот, образованный сопротивлениями Rn, Rn, Rn, Ris и конденсаторами Св, С,о. Затем через эмиттерные повторители, выполненные на транзисторах Г25 и Гго, Гг7, сигнал подается в разной полярности на базы и эмиттеры транзисторов управляющей схемы Г1В и Гго. Прн изменении тока этих транзисторов изменяется частота генерации гетеродина и последний с точностью до фазы может синхронизироваться несущей частотой. 0 1 2 3 4 5 6 7 8 [ 9 ] 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 |