Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 [ 5 ] 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25

Напряжение питания гетеродина стабилизировано стабилитроном Д. Режим 1ПО постоянному току и элементы схемы выбираются так, чтобы амплитуда высокочастотного колебания была намного меньше управляющего иаприжении, а нестабильность собственной частоты гетеродина - минимальной. Для этого колебательный контур шунтируется резистором н применяется взаимная компенсация температурной нестабильности элементов.


Рис. 23. Схемы синхронных гетеродинов.

о - с синхронизацией высокочастотным сигналом: б - с использованием варикапов в колебательном контуре; в - иа ЛС-элемеитах.

Коэффициент передачи управляющей схемы

/Су = Юс.г/4С/а.

(19)

Относительная нестабильность частоты гетеродина определяется по формуле

бм=0,25Д :/о/Д -Ю,5 (TKL-HKC) Л/,

(20) 19



где Af/o - нестабильность управляющего напряжения фазового детектора; TKL и ТКС - соответственно температурные коэффициенты Индуктивности и емкости колебательного контура; А/ - абсолютное из-менение температуры окружающей среды, °С.

У гетеродина, показанного на рнс. 23,6, температурный коэффициент емкости колебательного контура складывается из температурного коэффициента емкости варикапа минус половина температурного коэффициента делителя R1R2 и половина температурного коэффициента напряжения стабилитрона Дз. Температурный коэффициент емкостя варикапов находится в пределах (400±100)Х ХЮ-" 1/°С при .{73=2 В и (180 ±40)-10-» l/T прн (/3=6 В.

Ниже шриводятся параметры стабилитронов и значения температурных коэффициентов для остальных элементов схемы (табл. 1).

Таблица 1

Параметры стабилитронов

Тип стабилитрона

Напряжение стабилиза-

Температурный коэффи-

циент стабилизации, 10-«/°С

Д808, Д814А

7,75+0,75

490-ЫОО* 560-1-90*

Д809. Д814Б

8,75-

НО, 75

Д810, Д814В

9,75-

НО, 75

640+80* 650+70*

Д811. Д814Г Д813, Д814Д

11 + 1

12,75+1,25

760+40*

Д818А

10,1-

1-1,1

100+100**

Д818Б

7,9:

hl.l

100+100**

Д818В

9+1,8

+ 100**

Д818Г

9+1,3

+50**

КС196А

9,6-0,5

+50**

КС196Б

9,6-f0,5

+25**

КС196В

9,6+0,5

+5**

Измерения проводились при токе 5 мА. Измерения проводились при токе 10 мА.

Температурные коэффициенты резисторов, катушек индуктивности и конденсаторов, 10-«/"С

Резистор:

типа МЛТ............. ±ш0

типа ВС-0,25............ 900+300

типа БЛП группы Б........ -200+25

Катушка индуктивности:

с намоткой, осажденной на керамике --15+5

с горячей намоткой на керамике . . , -(-ЗО+Ю

с холодной намоткой на керамике . . -j.70+30

с намоткой на пластмассе...... +100+50

с намоткой в броневом сердечнике

типа СБ............ -1-70+50

с намоткой в чашечном сердечнике

типа 50ВЧ2, ЮООНМЗ...... +800



Конденсатор типа КСО, СГМ:

группы Б............ .

группы В.............. +200

группы Г............. +100

Конденсатор керамический: +50

группы Д (М700)..........-700+100

группы К (М1300)..........-1300+200

группы Л (М75) ..........-75+30

группы М (М47)..........-47+30

Дополнительной причиной нестабильности частоты могут быть изменение амплитуды высокочастотного колебания синхронного геге-родина, а также падение напряжения на сопротивлении фильтра в цепи ФАПЧ, вызванное обратным током варикапов.

Практически температурная нестабильность частоты диапазонного управляемого LC-гетеродина получается около 10- 1/°С. Несколько худшие характеристики у гетеродина, выполненного на С-элементах (рис. 23,е). Рассмотрим его работу. Пусть в исходном состоянип транзистор Г, закрыт, а транзистор 7"s открыт. Напряжение на э\1иттере транзистора Ti больше, чем на э.миттере Тз. Конденсатор С медленно разряжается коллекторным током 12 транзистора Т2. Когда напряжение на конденсаторе меняет знак на противоположный, напряжение на эмиттере транзистора Т становится больше, чем на эмиттере 7"i. Транзистор 7"i открывается, а транзистор 7"s закрывается. Происходит лавинообразный яроцесс перезарядки конденсатора через открытый транзистор Ти Затем конденсатор медленно разряжается коллекторным током U транзистора Г4 до тех пор, пока напряжение на эмиттере транзистора 7"з не станет меньше, чем на эмиттере транзнсгора Ti. После этого конденсатор снова заряжается через открытый транзистор 7"s и процесс повторяется. При условии симметрии схе.мы частота колебаний гетеродина определяется ino формуле

Шс.г = Ш2/6эС, (21)

где С/б8 - напряжение отсечкн между базой и эмиттеро.м, при котором ожрываегся переход транзистора. Для кремниевых транзисторов {Убэ=0,6 В.

Если управляющее напряжение подается на базы транзисторов Тг и 7*4, коэффициент передачи управляющей схемы

Kv=nlU6R.C. (22)

Диоды Д и Дг стабилизируют амплитуду выходных колебаний. Стабильность частоты гетеродина зависит от температурного изменения напряжения отсечки р-п перехода, которое уменьшается приблизительно на 2 мВ при увеличении температуры окружающей среды на ГС. В случае применения кремниевых транзисторов относительная температурная нестабильность частоты гетеродина определяется следующим образом:

6M=,25A.[;o/t/3+3,S-.10-sA (23)

Можно осуществить частичную компенсацию этой нестабильности, если для получения отрицательного напряжения питания -Е в качестве опорных элементов использовать прямое включение нескольких последовательно соединенных р-п переходов. Такой RC-гетеродин имеет нестабильность частоты около 10~ */°С. Стабиль-





0 1 2 3 4 [ 5 ] 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25