|
| |
|
Главная Журналы Напряжение питания гетеродина стабилизировано стабилитроном Д. Режим 1ПО постоянному току и элементы схемы выбираются так, чтобы амплитуда высокочастотного колебания была намного меньше управляющего иаприжении, а нестабильность собственной частоты гетеродина - минимальной. Для этого колебательный контур шунтируется резистором н применяется взаимная компенсация температурной нестабильности элементов.  Рис. 23. Схемы синхронных гетеродинов. о - с синхронизацией высокочастотным сигналом: б - с использованием варикапов в колебательном контуре; в - иа ЛС-элемеитах. Коэффициент передачи управляющей схемы /Су = Юс.г/4С/а. (19) Относительная нестабильность частоты гетеродина определяется по формуле бм=0,25Д :/о/Д -Ю,5 (TKL-HKC) Л/, (20) 19 где Af/o - нестабильность управляющего напряжения фазового детектора; TKL и ТКС - соответственно температурные коэффициенты Индуктивности и емкости колебательного контура; А/ - абсолютное из-менение температуры окружающей среды, °С. У гетеродина, показанного на рнс. 23,6, температурный коэффициент емкости колебательного контура складывается из температурного коэффициента емкости варикапа минус половина температурного коэффициента делителя R1R2 и половина температурного коэффициента напряжения стабилитрона Дз. Температурный коэффициент емкостя варикапов находится в пределах (400±100)Х ХЮ-" 1/°С при .{73=2 В и (180 ±40)-10-» l/T прн (/3=6 В. Ниже шриводятся параметры стабилитронов и значения температурных коэффициентов для остальных элементов схемы (табл. 1). Таблица 1 Параметры стабилитронов
Измерения проводились при токе 5 мА. Измерения проводились при токе 10 мА. Температурные коэффициенты резисторов, катушек индуктивности и конденсаторов, 10-«/"С Резистор: типа МЛТ............. ±ш0 типа ВС-0,25............ 900+300 типа БЛП группы Б........ -200+25 Катушка индуктивности: с намоткой, осажденной на керамике --15+5 с горячей намоткой на керамике . . , -(-ЗО+Ю с холодной намоткой на керамике . . -j.70+30 с намоткой на пластмассе...... +100+50 с намоткой в броневом сердечнике типа СБ............ -1-70+50 с намоткой в чашечном сердечнике типа 50ВЧ2, ЮООНМЗ...... +800 Конденсатор типа КСО, СГМ: группы Б............ . группы В.............. +200 группы Г............. +100 Конденсатор керамический: +50 группы Д (М700)..........-700+100 группы К (М1300)..........-1300+200 группы Л (М75) ..........-75+30 группы М (М47)..........-47+30 Дополнительной причиной нестабильности частоты могут быть изменение амплитуды высокочастотного колебания синхронного геге-родина, а также падение напряжения на сопротивлении фильтра в цепи ФАПЧ, вызванное обратным током варикапов. Практически температурная нестабильность частоты диапазонного управляемого LC-гетеродина получается около 10- 1/°С. Несколько худшие характеристики у гетеродина, выполненного на С-элементах (рис. 23,е). Рассмотрим его работу. Пусть в исходном состоянип транзистор Г, закрыт, а транзистор 7"s открыт. Напряжение на э\1иттере транзистора Ti больше, чем на э.миттере Тз. Конденсатор С медленно разряжается коллекторным током 12 транзистора Т2. Когда напряжение на конденсаторе меняет знак на противоположный, напряжение на эмиттере транзистора Т становится больше, чем на эмиттере 7"i. Транзистор 7"i открывается, а транзистор 7"s закрывается. Происходит лавинообразный яроцесс перезарядки конденсатора через открытый транзистор Ти Затем конденсатор медленно разряжается коллекторным током U транзистора Г4 до тех пор, пока напряжение на эмиттере транзистора 7"з не станет меньше, чем на эмиттере транзнсгора Ti. После этого конденсатор снова заряжается через открытый транзистор 7"s и процесс повторяется. При условии симметрии схе.мы частота колебаний гетеродина определяется ino формуле Шс.г = Ш2/6эС, (21) где С/б8 - напряжение отсечкн между базой и эмиттеро.м, при котором ожрываегся переход транзистора. Для кремниевых транзисторов {Убэ=0,6 В. Если управляющее напряжение подается на базы транзисторов Тг и 7*4, коэффициент передачи управляющей схемы Kv=nlU6R.C. (22) Диоды Д и Дг стабилизируют амплитуду выходных колебаний. Стабильность частоты гетеродина зависит от температурного изменения напряжения отсечки р-п перехода, которое уменьшается приблизительно на 2 мВ при увеличении температуры окружающей среды на ГС. В случае применения кремниевых транзисторов относительная температурная нестабильность частоты гетеродина определяется следующим образом: 6M=,25A.[;o/t/3+3,S-.10-sA (23) Можно осуществить частичную компенсацию этой нестабильности, если для получения отрицательного напряжения питания -Е в качестве опорных элементов использовать прямое включение нескольких последовательно соединенных р-п переходов. Такой RC-гетеродин имеет нестабильность частоты около 10~ */°С. Стабиль- 0 1 2 3 4 [ 5 ] 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||